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CsI(Tl)闪烁晶体(低余辉)

  • 高光输出
  • 坚固耐用,耐机械冲击
  • 低余辉版本(0.05~0.39% @20ms,该值可根据要求定制)
  • 应用:核辐射探测、安全和工业检查、医学CT等
  • 可提供CsI(Tl)块体晶体、CsI(Tl)闪烁屏和CsI(Tl)闪烁体阵列
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基本性质:

密度(g/cm3)4.51熔点(K)894
解理面硬度(莫氏)2
吸湿性略有发射峰折射率1.79
发射峰波长(nm)550下波长截止320
衰减时间 (ns)1000光产额 (NaI(Tl) 的百分比)40
余辉(%@20ms)0.05~0.39

CsI(Tl) 或铊激活碘化铯晶体是最亮的闪烁体材料之一。它的发射峰位于 350-700nm 的宽发射光谱中的 550nm,与光电二极管读数完美匹配。并且因为可以使用光电二极管,所以可以减小闪烁体探测器的尺寸,并且可能需要使用高压电源。此外,光电二极管受磁场的影响较小。CsI(Tl) 具有 54 光子/Kev 的高光输出,导致光电子对伽马辐射的产额相当于 Na(I) 值的 45%,使其成为迄今为止最亮的闪烁体之一。CsI(Tl) 也非常适合利用粒子脉冲分析技术检测重带电粒子,因为其多个衰变时间分量的比率与电离能力不同。与许多其他闪烁体材料相比,CsI(Tl) 具有天然更大的光吸收截面。这一特性,加上其高辐射硬度和良好的阻止本领,使其非常适合伽马能谱和成像等应用。

从物理角度来看,CsI(Tl) 坚固耐用,机械性能优异,因为它没有解理面,这使其在各种条件下都具有可靠的强度。CsI(Tl) 可用于医疗应用,例如颌骨和头部扫描、安全 X 射线检查、测井、空间研究等。然而,值得注意的是,CsI(Tl) 是一种慢闪烁体,这限制了它在快速闪烁至关重要时的潜力。

余辉是指激发源停止后持续特定时间的闪烁光的比例。在大多数应用中,余辉是不希望出现的,因为它会影响探测器的性能。例如,在X射线扫描中,余辉会延缓照明的衰减,导致图像模糊和清晰度下降。低余辉CsI(Tl)晶体继承了普通CsI(Tl)晶体的高光输出,同时高效抑制了余辉现象,从而提高了图像质量。

杭州煦和光电提供定制低余辉CsI(Tl)闪烁体;产品具有0.05~0.39% @20ms的低余辉;我们可以根据您的要求定制余辉值。产品包括CsI(Tl)晶体坯料、抛光晶体、封装闪烁体、CsI(Tl)阵列、CsI(Tl)阵列+PD组件以及二维阵列,可根据客户要求定制。我们的CsI(Tl)闪烁晶体和CsI(Tl)阵列具有优异的抗辐射性能、高光输出和可靠的稳定性。我们的CsI(Tl)晶体可应用于核辐射探测、高能物理、安全X射线扫描仪、工业检测以及计算机断层扫描(CT)医疗设备等众多领域。

图1为正常CsI(Tl)晶体和我们研制的低余辉CsI(Tl)晶体的余辉对比曲线。

                                                             


图 2 显示了使用我们的低余辉 CsI(Tl) 获得的示例图像

CsI(Tl)闪烁晶体

CsI(Tl)闪烁晶体

  • 最大尺寸可达 400mm x 400mm x 100 mm
  • 我们可以提供多种特殊形状和设计的 CsI(Tl),例如中心带孔的 CsI(Tl)/形状良好的 CsI(Tl),以及单窗口或多窗口的 CsI(Tl) 闪烁体。
  • 超高光输出,平均 52 光子 keV
  • 良好的 γ 射线阻止能力和抗辐射性能
  • 发射峰值位于 550nm,与光电二极管匹配良好
  • 坚固的物理特性
  • 可提供低余辉 CsI(Tl)。除了 CsI(Tl) 块体晶体外,我们还提供 CsI(Tl) 闪烁屏和 CsI(Tl) 闪烁体阵列。
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CsI闪烁晶体

CsI闪烁晶体

  • 衰减时间快:16ns
  • 发射峰值位于 315nm
  • 光输出低于 CsI(Tl) 和 CsI(Na)
  • 采用布里奇曼法生长,最大尺寸为直径 90mm x 长度 300mm 及以上
  • 高阻止本领
  • CsI 一维线阵列、CsI 二维平面阵列、CsI(Tl) 和 CsI(Na) 也可供选择
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